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報道関係各位
2010年03月04日
(2010年2月11日 米国発報道発表資料抄訳)
ノベラスシステムズジャパン

ノベラスシステムズ、IBMおよびCNSEがAlbany NanoTech Complexにおける戦略的提携に合意

最初の目標は最先端のフォトレジスト除去技術の開発

ノベラスシステムズ( NSADAQ:NVLS、以下、ノベラス)、IBM (NYSE: IBM)およびニューヨーク州立大学アルバニー校のナノスケール科学工学カレッジ(CNSE: College of Nanoscale Science and Engineering)は、本日CNSEのAlbany NanoTech Complexにおいて、22nmおよびそれ以降の半導体プロセス技術の開発を目的とした戦略的提携に合意したことを発表しました。

現在大量生産されている最先端の半導体は45nmや32nmプロセス技術を用いており、28nmやそれ以降のプロセスを用いたデバイスは開発中です。半導体製造プロセスの微細化に伴い、より小さく、より速く、より効率的な半導体の生産が可能となり、サーバーからスマートフォンに及ぶあらゆる半導体製品のパフォーマンスを向上させます。ノベラスは、CNSEのAlbany NanoTech Complexにおける、IBM、IBMテクノロジー・アライアンス・パートナー、CNSE開発チームのエコシステムに加わることで、テクノロジー移行に伴う課題に今後取り組んでいきます。

この合意における最初の研究は、28nmや22nmの最先端プロセスに向けた、先進的な、残渣のないフォトレジスト除去技術の開発です。フォトレジスト除去技術は、半導体チップの配線を形作る上で重要です。この共同研究により、high-kメタルゲート技術と併用できるHigh-Dose Implant Strip(HDIS)プロセスやultra-low-k絶縁膜に使われるダメージフリー除去プロセスを含んだ、広範囲のフォトレジスト除去技術の開発を目指します。

IBMは、広範囲にわたる半導体技術開発及び製造の経験や実績により、28nmやそれ以降のテクノロジー世代の技術開発の加速に貢献します。また、ノベラスの先端フォトレジスト除去装置GxT(r)が、IBMのイーストフィッシュキルの工場及びCNSEのAlbany NanoTech Complexに導入され、最新の除去プロセスを提供します。ノベラスは、特殊な非酸化型除去を用いるGxTプラットフォームにおいて、0.1nm以下のシリコンロスやオキサイドロスを達成し、業界をリードするクリーニングプロセスを実現してきました。CNSEは、学術会でも世界最先端と言えるAlbany NanoTech Complexにおいて、世界最高峰の知財、他に類を見ないテクノロジーインフラを提供します。

IBMのプロセス開発担当バイスプレジデントのPaul Farrar氏は次のように述べています。「当社は、ノベラスシステムズ及びニューヨーク州立大学アルバニー校のナノスケール科学工学カレッジと新しく設立したこの技術コラボレーションの中で、共同開発を進めることを約束します。まず始めに、我々が持つ業界最先端のhigh-kメタルゲート構造における先端フォトレジスト除去技術の最適化に注力します。CNSEのAlbany NanoTech Complexにおいて、世界クラスの企業とコンソーシアムを締結することは、先端技術を市場に提供し当社とアライアンス・パートナーの利益を向上させる上で非常に重要です。」

CNSEのストラテジー・アライアンス・コンソーシアム担当副社長のRichard Brilla氏は次のように述べています。「当大学は、業界のリーダーであるノベラスやIBMとの協力のもと、ナノ製造技術を支援する革新的技術の開発に期待しています。この共同研究は、産業の重要なニーズへの取り組みを促進するべく、先端プロセス及び装置技術の統合を実現し、更にIBMとそのアライアンス・パートナーの技術的リーダーシップを証明することになるでしょう。」

ノベラスのワールドワイドセールス・マーケティング・CS(顧客満足)担当のエグゼクティブバイスプレジデントであるTim Archerは次のように述べています。「IBMは最新の半導体製造プロセス開発において長年に渡り名声を得てきました。当社は、この戦略的パートナーシップにおいて、IBMやCNSEと共に最先端のフォトレジスト除去および洗浄技術の研究ができることを大変喜ばしく思っています。」

IBMについて:

IBMの半導体製品やサービスについての詳細はIBMの公式サイトをご覧ください。

http://www.ibm.com/technology

CNSEについて:

CNSEは新興分野のナノ科学・ナノ工学・ナノ生化学・ナノ経済学の教育・研究・開発・展開に特化した世界初の専門大学です。CNSEのAlbany NanoTech Complexは、世界中の大学の中でも最先端の研究事業です。50億ドルを越えるハイテクへの投資と、80万平方フィートの複合棟は世界中から企業のパートナーを惹きつけ、学生には学術的な経験を提供します。アルバニー校のナノスケール科学工学カレッジの施設は、300mmウェハー、コンピュータチップのパイロット試作およびデモンストレーションラインを統合した、8万平方フィートのクラス1クリーンルームを有しています。またCNSEのAlbany NanoTech Complexには2,500人以上の科学者、研究者、エンジニア、学生、そして教授らが携わっています。詳細は公式サイトをご覧下さい。

http://www.cnse.albany.edu/

ノベラスについて:

Novellus Systems, Inc. (Nasdaq: NVLS) は、グローバル半導体産業において先進のプロセスを提案するリーディングカンパニーです。ノベラスの製品は、信頼された生産性に裏付けされた革新的なテクノロジーを提供することにより、お客様に“価値”を提供します。S&P 500 companyであるノベラスは、米国カリフォルニア州サンノゼに本社をもち、世界中に拠点を展開しています。ノベラスについての詳細は公式サイトをご覧下さい。

http://www.novellus.co.jp


NovellusおよびGxTは登録商標です。



■ノベラスシステムズジャパンのプレスリリース一覧


2010-08-24 08:00:00 ノベラスシステムズジャパン
ノベラスがSUB-32nm FEOLおよびダブルパターニングアプリケーション向けにコンフォーマル成膜技術を発表
VECTOR(R)プラットホームにてFurnaceの膜質クオリティとALDに匹敵するステップカバレッジ性能をもつ絶縁膜の実現

2010-05-18 11:00:00 ノベラスシステムズジャパン
ノベラスの新しいタングステンナイトライド(WN)プロセスが3xnm以降のメモリーデバイスの最先端銅配線を可能に
ALTUS(R) DirectFill(TM) Liner-Barrierテクノロジーにてコンタクト抵抗30%低減を実現

2010-03-23 14:00:00 ノベラスシステムズジャパン
ノベラス、シリコン貫通ビア(TSV)パッケージに向け最先端Cuシードテクノロジーを開発
高アスペクト比のTSV構造において、新しいPVD HCM(r)プロセスがボイドフリーのCu埋め込みを実現

2010-03-04 12:00:00 ノベラスシステムズジャパン
ノベラスシステムズ、IBMおよびCNSEがAlbany NanoTech Complexにおける戦略的提携に合意
最初の目標は最先端のフォトレジスト除去技術の開発

2010-02-16 13:00:00 ノベラスシステムズジャパン
ノベラスシステムズ PECVD装置 VECTOR(R) 出荷数1000台を達成
GLOBALFOUNDRIESに認められた、業界をリードする量産対応絶縁膜成膜装置

2010-01-29 00:00:00 ノベラスシステムズジャパン
ノベラスシステムズ SUB-45nm大量生産向けSOLA(r) xT UVTP装置をリリース
柔軟性の高いMulti-station Sequential Processing (MSSP)によりULK膜硬度を25%改善

2009-12-08 00:00:00 ノベラスシステムズジャパン
ノベラスのPECVD ASHABLE HARD MASK (AHM(tm))がSub-32nmのパターニングを実現
従来のアモルファスカーボン膜に比べ歩留まりを7%改善