テキサス・インスツルメンツ(TI)は、2つの新しい電力変換デバイス製品ラインアップを発表しました。
この製品ラインアップは、より小さなスペースでより多くの電力を供給し、低コストで最高クラスの電力密度を提供します。
TI の新しい 100V GaN 内蔵パワーステージは、放熱強化の両面冷却パッケージ テクノロジを採用しているため、熱設計を簡素化し、中電圧アプリケーションで 1.5kW/in3という最高クラスの電力密度を達成します。
TI の新しいトランス内蔵 1.5W 絶縁型 DC/DC モジュールは、業界最小クラスのサイズと最高クラスの電力密度を実現し、車載と産業用のシステムで絶縁型バイアス電源のサイズを 89% 以上小型化できます。
詳細については、TI.com/LMG2100 と TI.com/UCC33420-Q1 をご覧ください。
TIの高電圧製品事業部でゼネラル マネージャを務める Kannan Soundarapandianは次のように述べています。
「電源設計者にとって、限られたスペースでより多くの電力を供給することは、常に設計の重要な課題です。
例えば、エンジニアが電力密度の高いサーバー向け電源ソリューションを設計できれば、データ センターをより効率的に運用して処理能力のニーズ増大に対応しながら、環境に及ぼす影響を最小限に抑えることができます。
TIは、エンジニアが最高クラスの電力密度、効率、放熱性能を実現できるよう支援するイノベーションを提供することで、パワー マネージメントの限界を押し上げ続けていきます」
100V GaN 内蔵パワーステージを活用し、電力密度と効率を向上
TI の新しい 100V GaN パワーステージである 『LMG2100R044』と『LMG3100R017』を採用することで、中電圧アプリケーションの電源ソリューションのサイズを 40% 以上小型化できるほか、
GaN テクノロジの高いスイッチング周波数を活用して1.5kW/in3を上回る電力密度を達成できます。
また、新製品ラインアップは、シリコン ベースのソリューションに比べ、スイッチング電力損失を 50% 低減すると同時に、出力容量の低減やゲート ドライブ損失を低減することで、システム効率を 98% 以上向上させることができます。
例えば、ソーラー インバータ システムの場合、密度と効率が向上すると、同じパネルでより多くの電力を蓄積・生成できるのと同時に、マイクロインバータ システム全体のサイズを小型化できます。
100V GaN 製品ラインアップの放熱性能向上を実現する鍵となるのは、放熱特性に優れたTIの両面冷却パッケージです。
このテクノロジにより、デバイスの両面(上面と底面)で効率的に放熱し、競合の GaN 内蔵デバイスと比較して熱抵抗を小さくすることができます。
中電圧アプリケーション向け、TI の 100V GaN パワーステージの利点については、技術記事『GaN を採用してエレクトロニクス設計を変革する、4 つの中電圧向けアプリケーション』をご覧ください。
バイアス電源を 89% 以上小型化
TI の新しい 1.5W 絶縁型 DC/DC モジュールは、ディスクリート ソリューションに比べて 8 倍以上高い電力密度や、競合のモジュールと比べて 3 倍以上高い電力密度を達成しており、4mm x 5mm の VSON(very thin small outline no-lead)パッケージで、車載と産業用のシステムで最大の出力電力と絶縁性能(3kV)を実現します。
TI の『UCC33420-Q1』と 『UCC33420』は、少ない部品数とシンプルなフィルタ設計で、CISPR(国際無線障害特別委員会)で定められる厳格なEMI規格のCISPR 32やCISPR 25などを容易に満たすことができます。
これらの新しいモジュールは、 TI の次世代トランス内蔵テクノロジを採用しており、バイアス電源の設計で外部トランスを不要にします。
このテクノロジにより、ソリューション サイズを 89% 以上、高さを最大 75% に小型化すると同時に、ディスクリート ソリューションに比べて部品表(BOM)を半分に減らすことができます。
この初の車載認証取得済み小型パッケージ ソリューションを採用すると、バッテリ管理システムなど電気自動車(EV)向けのバイアス電源ソリューションで、フットプリント、重量、高さを低減することができます。
データ センターなどスペースに制約がある産業用電源供給においては、この新しいモジュールを使用することでプリント基板の面積を最小限に抑えることができます。
TI の 1.5W 絶縁型 DC/DC モジュールの詳細については、技術記事『超小型絶縁型 DC/DC モジュールを活用して電力密度を向上する方法』をご覧ください。 https://www.ti.com/lit/pdf/ssztd18
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【テキサス・インスツルメンツおよび日本テキサス・インスツルメンツについて】
テキサス・インスツルメンツ(本社:米国テキサス州ダラス、社長兼CEO:ハビブ イラン、略称:TI)は、産業、オートモーティブ、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場で、アナログ チップと組み込みプロセッシング チップの設計、製造、テスト、販売に従事しているグローバル半導体企業です。
半導体を通じてエレクトロニクスをより手頃な価格で提供し、より良い世界を創造するという TI の熱意は、現在も生きています。
各世代の革新は、それより前の世代を土台として、テクノロジの小型化、効率化、信頼性の向上、低コスト化を実現しています。その結果、あらゆる分野の電子機器に半導体は採用されています。
TI はこうしたイノベーションを、エンジニアリングの進歩として捉えています。TI が過去数十年にわたって注力し、現在も注力しているのがイノベーションです。
TIの情報はホームページ(www.TI.com)をご参照ください。
日本テキサス・インスツルメンツ(本社:東京都港区、社長:ルーク リー、略称:日本TI)は、テキサス・インスツルメンツの子会社で日本市場における外資系半導体サプライヤです。
当社に関する詳細はホームページ(https://www.ti.com/ja-jp/homepage.html)をご参照ください。
(日本TI公式アカウント:X / Facebook)
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2021-06-10 11:00:00 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日本TI、業界最速の18ビットADCなど、高速と高精度のギャップを埋める新しいSAR ADCファミリを発表 最大のダイナミック・レンジと最小のレイテンシで高速デジタル制御ループを実現しながら、 消費電力を最大65%削減可能 |
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2021-02-24 11:00:00 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日本TI、MHEV用48Vモーター駆動装置を30%小型化するグレード0対応の統合型BLDCモーター・ドライバを発表 ASIL Dレベルの機能安全要件に対応したMHEVシステムを実現するとともに、業界最高レベルのゲート駆動電流を達成 |
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2021-01-25 11:00:00 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日本TI、EVのバッテリ管理を大きく変える、業界最高性能のワイヤレスBMSソリューションを発表 ASIL Dシステムの実現性について初めてTÜV SÜDの評価を取得した機能安全性コンセプトと先進的な製品ポートフォリオにより、信頼性と効率の高い電気自動車の開発を支援 |
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2020-12-10 11:00:00 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日本TI、高信頼性製品を即入手できるTIウェブサイトから直接購入可能と発表 豊富な航空宇宙グレードおよび軍用グレード製品の在庫を開放することで、航空宇宙および防衛関連企業が需要の高まりに対応することが可能に |
2020-11-10 11:00:00 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日本TI、車載機器向けに、ドライバ、保護回路や能動的な電力管理機能を集積した業界初のGaN FET製品ポートフォリオを発表 車載用充電回路や産業用電源のアプリケーションで電力密度を倍増、最高の電力変換効率を提供する製品を実現 |
2020-10-23 11:00:00 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日本TI、高精度設計の簡素化につながる、業界初のフェライト・ビーズ補償内蔵、低ノイズ降圧コンバータを発表 低ノイズ、低リップル降圧コンバータにより、ノイズの影響を受けやすいアプリケーションの高効率動作を実現 |
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2020-07-08 11:00:00 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 日本TI、業界初のゼロドリフト・ホール効果電流センサを発表 高電圧システムで時間経過および温度変動に対して安定した高精度測定を実現 |
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