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2020年09月24日
ラムリサーチ株式会社

ラムリサーチ、高度な誘電体ギャップフィル技術を導入するプラットフォーム、「Striker® FE」を発表

~継続的な微細化を可能にし、次世代メモリを実現~

ラムリサーチ(Lam Research Corp., Nasdaq: LRCX、本社:米国カリフォルニア州フリーモント)は、高アスペクト比のチップ構造を製造するための新たなプロセスソリューションとして、 先進的なプラットフォームであるStriker® FEを発表しました。Striker FEは、プロセスソリューションでは初となる革新的なStriker ICEFill™技術を採用しています。
この技術は、新たな技術ノードでの、3D NAND、DRAM、およびロジックデバイスにおける極限構造の実現に対応します。
このシステムは、半導体業界ロードマップの達成に必要とされる継続的なコストの低減と微細化の技術を提供にします。

半導体製造における従来のギャップフィル方法には、化学気相成長(CVD)、拡散/熱処理炉、スピンというレガシー工程を含みます。
これらの手法は、品質、収縮、ギャップフィルのボイド間のトレードオフによって制限されるため、現在の3D NANDの要件では実行できません。
一方、ラムリサーチのStriker ICEFillは、独自の表面改質技術を利用し、原子層成膜(ALD)固有の膜質を保持しながら、最優先事項であるボトムアップ、およびボイドフリーのギャップフィルを実現します。
ICEFillの技術は、特に多層3D NANDデバイスで一般的な、高アスペクト比構造の実現という既存の制限に対処すると共に、DRAMやロジックデバイスの課題を解決します。
ラムリサーチのデポジション製品事業部担当シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャーであるセーシャ・バラダラジャン(Sesha Varadarajan)は次のように述べています。
「お客様にとって有効なALD技術を提供することが当社の目標です。この技術は、当社の業界をリードするクアッドステーションモジュール構造による生産性のメリットを生かした単一のプロセスシステムにおいて、 高品質の酸化膜を形成する能力と優れたギャップフィル性能を組み合わせています」

ICEFill技術を活用したStriker FEプラットフォームは、Striker ALDシリーズにおけるソリューションの一部です。Strikerシリーズ製品についての詳細は製品ページをご覧ください。


ラムリサーチについて
Lam Research Corporationは、半導体業界に革新的な半導体製造装置とサービスを提供するグローバルサプライヤーです。 世界をリードする半導体企業の信頼されるパートナーとして、優れたシステムエンジニアリング能力、技術的リーダーシップ、 顧客企業の成功に貢献するという揺るぎないコミットメントを組み合わせ、より優れたデバイスパフォーマンスの実現を通じ、革新を推進します。 実際、現在製造されている高度なチップのほとんどが、ラムリサーチの技術を活用しています。ラムリサーチ(Nasdaq:LRCX)は、 カリフォルニア州フリーモントに本社を置くFORTUNE 500®企業で、世界中に事業を展開しています。詳細については公式サイトをご参照ください。 https://www.lamresearch.com/ja/



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2020-09-24 11:00:00 ラムリサーチ
ラムリサーチ、高度な誘電体ギャップフィル技術を導入するプラットフォーム、「Striker® FE」を発表
~継続的な微細化を可能にし、次世代メモリを実現~