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2021年02月09日
ラムリサーチ株式会社

ラムリサーチ、次世代の3Dメモリデバイス製造を革新する新しいエッチング技術「Vantex™」を発表

~革新的な技術とEquipment Intelligence®で高アスペクト比のエッチングを見直し、チップ量産各社の3D NANDおよびDRAMデバイスのロードマップの進行をサポート~

ラムリサーチ(Lam Research Corp., Nasdaq: LRCX、本社:米国カリフォルニア州フリーモント)は、同社のインテリジェントなエッチングプラットフォームSense.i™向けに設計された最新の誘電体エッチング技術「Vantex™」を発表しました。
エッチング装置業界のリーダーシップに基づいたこの革新的な設計は、現在と次世代のNANDおよびDRAMメモリデバイスにより高い性能とより優れた拡張性を提供します。

スマートフォンやグラフィックカード、ソリッドステートストレージドライブなどの用途で使用される3Dメモリデバイスを製造するチップ量産各社は、デバイスの寸法を縦方向に大きくし、横方向の限界寸法(CD)を縮小することによって、プロセスノードによるビットあたりのコスト削減に絶えず取り組んでいます。この取り組みによって、3D NANDおよびDRAMにおけるエッチングのアスペクト比が新たなレベルに引き上げられています。
Vantexの新たなチャンバー設計は、高スループットを維持しつつ高アスペクト比でエッチングを行い、コストのスケーリングを実現するために、これまで利用可能であった高周波(RF)パワーよりも高いパワーレベルの使用を可能にします。このパワーの増加は、RFパルス技術の向上と相まって、デバイス性能の向上に必要な厳しいCD制御を実現します。
3D NANDデバイスのロードマップは、すべての新世代で深さを増大させるエッチングを必要とし、エッチングプロファイルの均一性を向上させる必要があります。Vantex技術は、エッチングの垂直性を制御して、これらの3Dデバイス機能に対する厳しい位置合わせ要件を満たし、300mmウェハ全体にわたって歩留まりを向上させます。

ラムリサーチのエッチ製品事業部担当シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャーを務めるヴァヒド・ヴァヘディ(Vahid Vahedi)は次のように述べています。
「高アスペクト比エッチングにおける10年以上の業界リーダーシップで培った比類のない当社の知識は、今後の多くのノードに拡張性とイノベーションを提供するために、一からVantexチャンバーを設計することを可能にしました。Vantexは、性能および生産性のベンチマークを見直して、お客様がこの画期的なエッチング技術の利用を推進できるようにします」

ラムリサーチのEquipment Intelligence®テクノロジーを搭載した同社のSense.iエッチングプラットフォームは、システムとプロセス性能をモニタリングする何百ものセンサーからのデータ収集などを行います。VantexチャンバーはSense.iシステムの高帯域通信を利用し、ウェハ上とウェハ間の性能を向上させるために、さらに効率的なデータ活用能力によって、市場の他のどの装置よりも多いウェハごとのデータを収集します。

Sense.iプラットフォーム向けのVantexは2021年の量産に向けて再受注ベースで、引き続きラムリサーチの主要なメモリ顧客を対象に出荷される予定です。


ラムリサーチについて
Lam Research Corporationは、半導体業界に革新的な半導体製造装置とサービスを提供するグローバルサプライヤーです。
世界をリードする半導体企業の信頼されるパートナーとして、優れたシステムエンジニアリング能力、技術的リーダーシップ、顧客企業の成功に貢献するという揺るぎないコミットメントを組み合わせ、より優れたデバイスパフォーマンスの実現を通じ、革新を推進します。実際、現在製造されている高度なチップのほとんどが、ラムリサーチの技術を活用しています。ラムリサーチ(Nasdaq:LRCX)は、カリフォルニア州フリーモントに本社を置くFORTUNE 500®企業で、世界中に事業を展開しています。詳細については公式サイトをご参照ください。
https://www.lamresearch.com/ja/



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